项目名称：基于二元金属氧化物的阻变存储技术研究

获奖等级：甘肃省自然科学三等奖

获奖编号：2021—Z3—008

提名单位：甘肃省科学院

主要完成人：高晓平，李颖弢，韩根亮

项目组重点开展了基于与CMOS工艺兼容的二元金属氧化物材料的高性能阻变存储器件的研究。从材料选择、器件制备、性能优化、物理机制等方面出发，阐明了活性电极材料对二元金属氧化物离子基阻变存储器阻变性能的影响规律，还原出了离子基阻变存储器件阻变参数离散性的物理本质；通过深入研究界面效应对阻变器件的影响，揭示了决定阻变存储性能的主要界面层位置，实现了界面层对阻变存储器件性能的有效调控；更进一步获得了性能稳定、自限流、多值存储的高密度存储器件单元。项目组所取得的上述研究成果为进一步解决阻变存储器件器件转变参数一致性差、器件稳定性差的瓶颈问题提供了重要的科学依据，为评估和优化阻变存储器件的综合性能奠定了科学基础，对新型阻变存储器的高密度应用具有重要的指导意义。